Strwythur sensitif traws-beam ar ôl dull rhyddhau CMOS ar gyfer hydroffon fector MEMS

Dull rhyddhau CMOS ar ôl strwythur traws-beam sensitif ar gyfer mems fector hydrophone

maes technegol

1. Mae'r ddyfais bresennol yn ymwneud â maes lled-ddargludyddion, yn arbennig i amddiffyn wal ochr o silicon nitrid a cyrydu anisotropic rhyddhau strwythurau sensitif o silicon, yn arbennig i ddull rhyddhau CMOS ar ôl trawst traws strwythur sensitif gogwyddo i fector mems hydroffon.

Techneg gefndir:

2. Gall yr hydrophone fector mems ganfod gwybodaeth fector megis cyflymder dirgryniad gronynnau tanddwr, a gellir ei gymhwyso i lwyfannau canfod tanddwr megis systemau sonar, tanddwr tanddwr di-griw, a bwiau sonar sy'n cael eu gollwng yn yr aer, ac mae ei berfformiad wedi cael sylw helaeth. . Gall yr hydroffon fector mems sydd wedi'i integreiddio gan cmos wella perfformiad y fector hydroffon yn fawr ac mae ganddo ragolygon datblygu da.

3. Mae integreiddio ôl-CMOS yn y cynllun integreiddio cmos yn bwnc ymchwil poeth ar hyn o bryd. Yn y cynllun hwn, mae sut i ddefnyddio'r broses mems i gwblhau rhyddhau'r strwythur o dan y rhagosodiad o fod yn gydnaws â cmos yn her enfawr. Yn y broses mems traddodiadol, defnyddir ffotolithograffeg i drosglwyddo'r patrwm mwgwd i'r wafer silicon, ac yn aml nid yw cywirdeb ffotolithograffeg yn y broses mems cystal â'r broses cmos, ac mae'r camau ffotolithograffeg yn lleihau'r effeithlonrwydd cynhyrchu ac yn cynyddu'r gost cynhyrchu . Mae hefyd yn broblem y mae angen ei hastudio i wireddu cynhyrchiad màs sglodion.

4. Er mwyn datrys y broblem hon, yn seiliedig ar strwythur sensitif hydroffon fector mems, mae'r ddyfais bresennol yn dylunio dull rhyddhau mems ôl-cmos nad oes angen lithograffeg arno ac mae'n gydnaws â cmos.

Cysylltwch â Ni:

Email: zhang@pride-cnc.com

Ffôn: plws 86-755-23699351

Mob: ynghyd â 8618666663894